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| 序號 | 聘崗單位 | 科研團隊 | 崗位類別 | 崗位數(shù)量 | 崗位要求 | 崗位招聘條件 | 報名時間 | 聯(lián)系人 | 聯(lián)系方式 |
| 1 | 中山大學(xué)微電子學(xué)院 | 中山大學(xué)廣東省化合物半導(dǎo)體材料與器件工程技術(shù)研究開發(fā)中心王鋼教授 | 特聘副研究員三級崗 | 1 | 1.研究方向紫外LED外延、芯片及光源模組。2.主要工作內(nèi)容 2.1 開展紫外LED外延、芯片及光源模組的設(shè)計、制作、加工和測試等研究工作； 2.2 立足所在團隊在研項目研究任務(wù)的需要，承擔(dān)或參與紫外LED外延、芯片及光源模組的研究開發(fā)工作，并協(xié)助整理項目進度及結(jié)題報告等； 2.3 參與國家工程實驗室的建設(shè)工作，包括實驗平臺的搭建、內(nèi)部培訓(xùn)講座、與外交流等工作；2.4 承擔(dān)一定的相關(guān)社會服務(wù)工作。 | 1. 遵守憲法和法律，忠誠教育事業(yè)，恪守學(xué)術(shù)規(guī)范，遵守學(xué)校的規(guī)章制度，思維嚴(yán)謹(jǐn)，團結(jié)合作，愛護學(xué)生，有強烈的集體榮譽感和使命感；2.學(xué)歷要求：國內(nèi)外知名大學(xué)、研究機構(gòu)博士學(xué)歷，如具備氮化物材料及器件業(yè)界10年以上工作資歷條件，可放寬到碩士學(xué)歷；3.專業(yè)技術(shù)要求：物理學(xué)、光學(xué)工程相關(guān)專業(yè)背景，熟悉MOCVD工藝流程，具有熟練運用MOCVD工藝制備氮化物材料及器件的能力；熟悉氮化物材料LED器件半導(dǎo)體工藝流程；4.產(chǎn)業(yè)經(jīng)驗要求：具有5年以上LED材料和器件企業(yè)高級技術(shù)崗位工作資歷，具有較強的技術(shù)開發(fā)能力，具有從產(chǎn)品技術(shù)開發(fā)到量產(chǎn)的經(jīng)驗；5.年齡要求：38周歲以下，身心健康。 | 2015年10月1日至2015年10月31日 | 楊光 | 電話：0757-86687985E-mail：fsyangming@126.com地址：郵編： |
| 2 | 中山大學(xué)微電子學(xué)院 | 中山大學(xué)專用集成電路ASIC研究中心（陳弟虎教授團隊） | 特聘副研究員二級崗 | 1 | / | 1. 海內(nèi)外知名高校博士畢業(yè)，研究方向為電源管理集成電路或低功耗無線收發(fā)芯片研究與設(shè)計 ；2. 兩年以上知名高?；蜓芯繖C構(gòu)博士后或副研究員研究經(jīng)歷； 3. 一年以上產(chǎn)業(yè)界工作經(jīng)驗 ；4. 近五年發(fā)表第一作者（或通訊作者）SCI論文兩篇或以上，其中至少包括一篇行業(yè)知名期刊（如IEEE trans.）論文；5. 未滿足以上條件的優(yōu)秀博士畢業(yè)生可考慮申請博士后工作，待遇從優(yōu) | 即日起至招滿為止 | 郭建平 | 020-84114462guojp3@mail.sysu.edu.cn |
| 3 | 微電子學(xué)院 | 佘峻聰教授研究組 | 特聘副研究員三級崗 | 1 | 1.1 研究方向和主要工作內(nèi)容： 研究方向：真空微納電子器件及應(yīng)用 主要工作內(nèi)容：參加指定科研項目的相關(guān)研究任務(wù)，并協(xié)助整理項目進度及結(jié)題報告等；開展真空微納電子器件的研制及應(yīng)用表征設(shè)備建設(shè)和維護工作；協(xié)助指導(dǎo)學(xué)生開展科研工作。 1.2 考核標(biāo)準(zhǔn)： 論文或?qū)＠鹤鳛榈谝蛔髡呋蛘咄ㄐ抛髡撸骄磕?篇影響因子為2.0以上的SCI收錄論文或申請專利2項；三年考核期SCI論文5篇（含被接受）或者獲授權(quán)發(fā)明專利2項。 課題：三年考核期內(nèi)，獲批主持縱向項目經(jīng)費數(shù)合計10萬元，或主持橫向項目合計30萬元。 | (1) 獲得國內(nèi)外著名高校、研究所相關(guān)專業(yè)（微電子、電子科學(xué)與技術(shù)、材料物理、光學(xué)工程）博士學(xué)位。(2) 具備扎實的專業(yè)知識（電子材料，電子器件，真空電子與技術(shù)），有較為豐富的微納加工和真空電子學(xué)實驗研究經(jīng)驗。(3) 在本專業(yè)領(lǐng)域國際主流刊物上發(fā)表過學(xué)術(shù)論文；(4) 具有較強的獨立科研工作能力，有責(zé)任心，有團隊合作精神。 | 2015年12月3日至2016年6月30日 | 馮老師 | 39943212；13760862363@163.com |
| 1 | 中山大學(xué)微電子學(xué)院 | 廣東省第三代半導(dǎo)體GaN電力電子材料與器件工程技術(shù)研究中心（劉揚教授團隊） | 副研究員三級崗 | 3 | 1.研究方向及主要研究內(nèi)容：研究方向為：GaN電力電子材料、器件及應(yīng)用。以下研究內(nèi)容選擇其一：（1）GaN材料MOCVD外延及物性研究，（2）GaN電力電子器件物理、結(jié)構(gòu)設(shè)計、制造工藝研究（3）GaN電力電子器件的系統(tǒng)集成及應(yīng)用技術(shù)研究（光伏逆變、通用電源等） | （一）遵紀(jì)守法，熱愛科研，恪守學(xué)術(shù)規(guī)范。（二）掌握所從事領(lǐng)域的國際研究動態(tài)，具有獨立開展和組織科研工作的能力；有指導(dǎo)碩士研究生的能力，能勝任本專業(yè)方向的科研工作；具有團隊合作精神。（三）學(xué)歷學(xué)位要求：1、半導(dǎo)體材料與器件相關(guān)專業(yè)博士畢業(yè)，獲得博士學(xué)位；研究方向為第三代半導(dǎo)體GaN材料與器件，或具有第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的研究背景/研究經(jīng)歷/電力電子技術(shù)；2、國內(nèi)外知名高校博士或具有博士后/副研究員研究經(jīng)歷；（四）專業(yè)技術(shù)要求：熟悉MOCVD工藝流程，具有熟練運用MOCVD工藝制備氮化物材料及器件的能力；或熟悉氮化物材料器件半導(dǎo)體工藝流程，或具備Si基功率半導(dǎo)體器件的制備及設(shè)計能力；或熟悉電力電子拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)設(shè)計及具有相關(guān)從業(yè)經(jīng)驗。（五）年齡要求：原則上年齡不超過35周歲，身心健康；（六）具有以下條件者優(yōu)先錄用：（1）作為主要作者（第一作者）發(fā)表SCI論文4篇以上（IEEE-EDL、TED論文優(yōu)先）；（2） 承擔(dān)或作為主要人員參加的國家級項目一項以上；（3）在相關(guān)領(lǐng)域獲得發(fā)明專利授權(quán)1項以上；（4）具有一年以上產(chǎn)業(yè)界工作經(jīng)驗；（5）有三封領(lǐng)域內(nèi)知名專家推薦信. | 即日起至招滿為止 | 焦香香 | 18613142735；xiang_0403@163.com |
| 2.相關(guān)職責(zé)（1）跟蹤學(xué)科發(fā)展前沿，提出新的學(xué)術(shù)思路，獨立申請科研項目；（2）立足所在團隊在研項目研究任務(wù)的需要，承擔(dān)或參與相關(guān)研究開發(fā)工作，并協(xié)助整理項目進度及結(jié)題報告等；（3）參與工程中心建設(shè)工作，包括科研平臺搭建、內(nèi)部培訓(xùn)、與外交流等；（4）協(xié)助指導(dǎo)研究生的實驗研究工作；（5）開展相關(guān)課題的產(chǎn)學(xué)研技術(shù)攻關(guān)研發(fā)工作；（6）參與團隊相關(guān)的其他科研與管理工作；（7）承擔(dān)一定的相關(guān)社會服務(wù)工作 | |||||||||
| 3.考核標(biāo)準(zhǔn)：（1）論文：作為第一作者或者通信作者，平均每年1篇影響因子為2.0以上的SCI收錄論文；（2）專利：三年考核期內(nèi)，平均每年申請一項國家發(fā)明專利；（3）課題：三年考核期內(nèi)，獲批主持縱向科研項目一項以上。 |
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