上?？萍即髮W公共超凈平臺是上?？萍即髮W第一個五年計劃重點建設(shè)工程之一，是學校開展半導(dǎo)體器件工藝及其交叉學科研究的重要創(chuàng)新平臺。本超凈室主要為III-V族， III-Nitride, Si， Ge等無機半導(dǎo)體材料和相關(guān)新型器件提供研究和制造平臺。

公共超凈平臺的建設(shè)目的是為了促進納米科學技術(shù)、半導(dǎo)體技術(shù)、光電子技術(shù)的基礎(chǔ)研究和發(fā)展，以及能源、信息、材料、醫(yī)療、環(huán)境等領(lǐng)域多學科交叉研究。通過3-5年持續(xù)的發(fā)展和建設(shè)，將逐步建立起條件優(yōu)良，功能齊全，管理規(guī)范，先進高效的優(yōu)質(zhì)資源公用系統(tǒng)和共享機制，建設(shè)成適應(yīng)于當前以及未來器件工藝研發(fā)所需要的基礎(chǔ)支撐體系。

公共超凈平臺屬于上科大公共科研平臺，委托信息學院籌建并先期管理。根據(jù)科研工作需要，現(xiàn)誠聘鍍膜工藝工程師1名。該職位目前向公共超凈平臺負責人匯報工作。

一、 崗位職責

1. 負責嫻熟操作與使用超凈室中包含但不限于電子束蒸發(fā)、磁控濺射、熱蒸發(fā)、等離子增強沉積、原子層沉積、原子力顯微鏡、橢圓偏振儀、化學通風柜等實驗設(shè)備、儀器及裝置;

2. 負責完善與金屬/介質(zhì)膜沉積工藝流程相關(guān)的工藝規(guī)范，研究工藝參數(shù)與條件對實驗結(jié)果的影響趨勢或規(guī)律;

3. 負責設(shè)計制定金屬/介質(zhì)膜沉積工藝優(yōu)化方案、擴大工藝窗口、改善工藝能力;對新進工藝工程師或工藝技術(shù)員責任機臺培訓方案執(zhí)行;

4. 負責實現(xiàn)并完成學?？蒲许椖俊⑼鈪f(xié)項目與金屬/介質(zhì)膜沉積工藝相關(guān)的工藝流程;

5. 負責日常金屬/介質(zhì)膜沉積工藝問題處理，完成分析報告并及時完成相關(guān)文件;

6. 負責采購、保管和管理金屬/介質(zhì)膜沉積工藝相關(guān)的必備耗材與工具;

7. 幫助和培訓學生以及其他科研工作人員使用金屬/介質(zhì)膜沉積工藝相關(guān)的設(shè)備與儀器;

8. 輔助半導(dǎo)體器件制造實驗課程的制定和開設(shè);

9. 其它負責人交待的相關(guān)工作。

二、招聘條件

1. 具有微電子，光電子，材料或者物理等領(lǐng)域的本科，碩士或博士學歷;在該項工藝領(lǐng)域具備優(yōu)秀研發(fā)能力以及豐富良率提升經(jīng)歷者可放寬學歷條件;

2. 具有豐富的器件工藝的經(jīng)歷(研究生的在?？蒲薪?jīng)歷也適用);

3. 對半導(dǎo)體器件，光電子器件的工作原理和測試有基本的了解;

4. 具有良好的團隊合作精神，善于溝通;

5. 能夠閱讀相關(guān)專業(yè)的英語文獻及具備英文寫作能力;

6. 具有良好的協(xié)調(diào)溝通能力、管理能力和學習能力、以及團隊合作精神。

三、應(yīng)聘要求及程序

1.請應(yīng)聘者通過人才招聘系統(tǒng)(http://jobs.shanghaitech.edu.cn/)提交應(yīng)聘申請，請?zhí)顚懲暾麘?yīng)聘材料。不接受現(xiàn)場和郵件應(yīng)聘。應(yīng)聘流程為：注冊、填寫并提交個人基本信息、應(yīng)聘選擇崗位。

2.對應(yīng)聘者進行資格審查，對初審?fù)ㄟ^者，將另行通知面試時間。

3.招滿即止。

4.如有疑問，請發(fā)郵件至sist@shanghaitech.edu.cn。