中科院物理所北京凝聚態(tài)物理國家實驗室2014年科研崗位招聘啟事
來源:中科院網(wǎng) 閱讀:968 次 日期:2013-11-07 13:27:52
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招聘實驗室 用人課題組 崗位類別 崗位職責 應聘條件
超導國家重點實驗室 SC2組 科研崗位 1.超導薄膜制備和物理性質研究。 2.協(xié)助維護、管理實驗室設備。 3.協(xié)助培養(yǎng)研究生。 1.基本條件符合物理所的有關規(guī)定。 2.凝聚態(tài)物理(實驗物理)博士畢業(yè)。 3.具有超導物理、或者表面物理研究經(jīng)歷者優(yōu)先考慮。
SC3組 科研崗位 1.介觀超導體的光譜學或電輸運研究 2.發(fā)展和完善現(xiàn)有設備的功能 3.協(xié)助培養(yǎng)研究生 1.基本條件符合物理所的有關規(guī)定。 2.熟悉遠紅外光譜測量或各種微加工手段及低溫輸運測量 3.具有博士學位和國外科研經(jīng)歷 4.有較好的科研成果
SC10組 科研崗位 1.新超導材料的探索與物性研究;2.新型量子關聯(lián)功能材料的探索研究。 1.基本條件符合物理所的有關規(guī)定;2.具有物理、化學或材料專業(yè)博士學位; 3.熟悉材料的制備和測量方法; 4.具有超導方面研究經(jīng)歷為佳。
1.新超導材料的探索與物性研究;2.新型量子關聯(lián)功能材料的探索研究。 1.基本條件符合物理所的有關規(guī)定。2.具有物理、化學或材料專業(yè)博士學位; 3.熟悉材料的制備和測量方法;4.具有超導方面研究經(jīng)歷為佳。
表面國家重點實驗室 SF1組 科研崗位 1.透射電子顯微學研究; 2.原位透射電鏡實驗技術及其研究應用。 1.基本條件符合物理所的有關規(guī)定;2.博士學位; 3.海外工作經(jīng)驗優(yōu)先。
科研崗位 1.激光脈沖沉積(PLD)或分子束外延(MBE)技術制備金屬氧化物薄膜; 2.半導體納米結構或石墨烯及其電子器件制備。 1.基本條件符合物理所的有關規(guī)定; 2.博士學位。
SF3組 科研崗位 1.從事相關方向的科研工作;2.協(xié)助輔導研究生。 1.基本條件符合物理所的有關規(guī)定; 2.理學博士學位,35歲以下。
SF5組 科研崗位 1.單分子尺度激發(fā)態(tài)與超快動力學研究。 2.表面單自旋探測與控制研究。 3.新型表面探針與單分子測控實驗技術的研發(fā)。 1.基本條件符合物理所的有關規(guī)定。 2.熟練掌握單分子測量技術。 3.有博士后研究經(jīng)歷。 4.有儀器研制經(jīng)歷者優(yōu)先。
SF6組 科研崗位 1.利用分子束外延、激光脈沖沉積方法研究氧化物薄膜與異質結構的生長及其原子尺度操控。 2.薄膜表面與異質界面的微觀結構表征與物性測量。 3.指導研究生論文工作,并承擔國家科研任務與項目。 1.基本條件符合物理所的有關規(guī)定。 2.已獲得物理或材料專業(yè)博士學位,熟悉過渡金屬氧化物薄膜與異質結構的分子束外延或脈沖激光沉積生長技術。 3.具備超高真空儀器使用與維護經(jīng)驗,熟悉薄膜與異質結的電輸運性質測量與研究。 4.具有博士后工作經(jīng)歷者優(yōu)先。
SF10組 科研崗位 1.表面物理科研工作; 2.協(xié)助輔導學生,輔助實驗室建設工作。 1.基本條件符合物理所的有關規(guī)定。 2.理學博士學位, 從事表面物理微觀過程和電子結構理論研究 3.對表面和分子相互作用/能源轉化過程有一定的了解 4.較強的科研背景和獨立承擔領導科研項目的能力
磁學國家重點實驗室 M02組 科研崗位 TMR和GMR磁電阻材料的微波和高頻特性研究 1.基本條件符合物理所的有關規(guī)定; 2.具有博士學位、年齡在35歲以下; 3.具有國外學習或工作經(jīng)歷; 4.有自旋電子學器件的微納米加工技術和經(jīng)驗; 5.有TMR/GMR磁電阻材料的微波和高頻特性研究經(jīng)驗。
M04組 科研崗位 1.磁性納米結構的可控生長 2.微波磁性與超快自旋動力學研究 3.磁共振 1.基本條件符合物理所的有關規(guī)定。 2.具有博士學位并有長期海外博士后研究經(jīng)歷,研究成果突出; 3. 能夠獨立實現(xiàn)磁性納米結構的可控生長; 4.具有很強的磁學及其相關專業(yè)的基礎知識和研究背景;5.具有很好的團隊合作精神和兢業(yè)精神
M06組 科研崗位 1.多鐵性與磁電耦合效應理論實驗研究 2.磁共振技術發(fā)展及其在凝聚態(tài)物理中的應用3.協(xié)助指導研究生 1.基本條件符合物理所的有關規(guī)定。 2.具有博士學位3.具有磁性物理的研究背景和經(jīng)驗 4.有海外留學經(jīng)歷者優(yōu)先
光學物理重點實驗室 L04組 科研崗位 1.獨立開展科學研究 2.申請科研經(jīng)費 3.獨立或協(xié)助培養(yǎng)研究生 1.基本條件符合物理所的有關規(guī)定 2.具有博士學位 3.具有太赫茲研究實驗室工作經(jīng)歷或計算電磁學研究背景,有海外學位或工作經(jīng)歷者優(yōu)先。
L05組 科研崗位 1.進行超短超強激光與物質相互作用實驗研究 2.主持大科學裝置相關子系統(tǒng)的研制 1.基本條件符合物理所的有關規(guī)定。 2.具有在本領域5年以上的工作經(jīng)驗 3.熟悉強激光與物質相互作用實驗技術
L07組 科研崗位 1.從事超快超強激光技術及物理的研究 1.基本條件符合物理所的有關規(guī)定。 2.具有在超快超強激光技術與應用研究方面的相關基礎,在該領域取得過有影響的科研成果 3.年齡小于40歲,身體健康, 4.具有進一步申請各類人才計劃的潛力者優(yōu)先考慮。
先進材料與結構分析實驗室(電子顯微鏡重點實驗室) A02組 科研崗位 強關聯(lián)材料物性計算或實驗 1.基本條件符合物理所的有關規(guī)定。 2.獲得博士學位后有連續(xù)2年以上在海外從事相關科研工作經(jīng)歷。
A06組 科研崗位 1.負責高分辨電子顯微鏡和超快電子顯微鏡的配套技術發(fā)展. 2.發(fā)展原位顯微技術在功能材料中的應用。 1.基本條件符合物理所的有關規(guī)定。 2.獲得博士學位后有連續(xù)2年以上在國際優(yōu)秀實驗室從事相關科研工作經(jīng)歷 3.在國際學術界有一定的影響,能把握本學科領域的發(fā)展方向,具有團隊合作精神。
納米物理重點實驗室 N05組 科研崗位 1.開展納米電子學的研究; 2.研制新型納米器件; 3.撰寫前沿科技論文; 4.輔助實驗室建設。 1.基本條件符合物理所的有關規(guī)定; 2.具有凝聚態(tài)物理相關實驗背景; 3.有納米電子學或光電子學經(jīng)驗; 4.有物理或化學或材料學博士學位。
N07組 科研崗位 從事低維納米材料的量子輸運研究,協(xié)助N07組開拓和發(fā)展新型二維晶體材料的物性測量與器件應用研究。 1.基本條件符合物理所的有關規(guī)定。2.凝聚態(tài)物理專業(yè)博士學位,具有兩年以上相關領域國外工作學習經(jīng)歷; 3.熟練掌握納米材料與器件研究的相關關鍵技術與核心工藝;具有量子輸運測量經(jīng)驗者優(yōu)先; 4.創(chuàng)新能力強,具有良好的團隊合作精神與敬業(yè)奉獻精神。
極端條件物理重點實驗室 EX7組 科研崗位 負責上海光源儀器搭建 基本條件符合物理所的有關規(guī)定。
凝聚態(tài)理論與材料計算實驗室 T02組 科研崗位 1.新興固體材料和結構的物理性質的計算研究, 2.發(fā)展相關的計算方法。 3.指導研究生 1.基本條件符合物理所的有關規(guī)定。 2.過去的主要研究方向必須是仍處于上升階段的新興領域。 3.必須具備相應的獨立研究能力和水平。 4.年齡不大于35周歲。
軟物質物理實驗室 SM2組 科研崗位 1.等離子體理論和模擬研究 1.基本條件符合物理所的有關規(guī)定。
SM8組 科研崗位 1.開展膠體、顆粒體系中的復雜統(tǒng)計現(xiàn)象的實驗研究 1.基本條件符合物理所的有關規(guī)定。 2.博士以上學歷,物理學,高分子化學或相關專業(yè) 3.熟悉經(jīng)典統(tǒng)計物理的基本方法,對非平衡態(tài)統(tǒng)計有濃厚的興趣,有一定的編程能力。 4.了解膠體和顆粒體系的一般特性,能夠獨立進行膠體和顆粒體系的研究。
固態(tài)量子信息與計算實驗室 Q01組 科研崗位 開展以下研究方向的實驗研究:半導體中電子自旋量子調控和超快激光光譜;固態(tài)信息的新載體的材料和機制;基于金剛石NV中心的量子計算,以及冷原子物理和量子信息。 1.基本條件符合物理所的有關規(guī)定; 2.申請者應該有以下研究背景之一:超快(泵浦-探測)激光光譜,自旋電子學,凝聚態(tài)物理,半導體物理與器件制備,有兩項研究背景者優(yōu)先考慮; 3.熟悉電子、真空或激光技術,具有微納加工技術的經(jīng)驗,有研究背景的申請者優(yōu)先考慮; 4.良好的溝通/寫作能力和團隊精神。
清潔能源實驗室 E02組 科研崗位 1.新概念太陽能電池研究 2.光電材料分子設計與理論計算 1.基本條件符合物理所的有關規(guī)定。 2.材料、物理和化學等相關專業(yè)的應屆畢業(yè)生或科研人員 3.熟悉半導體材料特性研究 4.責任心強,工作認真細致 5.交流能力強,具有團隊協(xié)作精神
E03組 科研崗位 1.MBE或MOCVD生長 2.發(fā)光二極管、探測器研究 1.基本條件符合物理所的有關規(guī)定; 2、博士學位; 3、熟悉MBE或MOCVD生長; 4、熟悉半導體材料特性研究。

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