學(xué)院：材料與環(huán)境工程學(xué)院

加試科目：材料制備技術(shù)

第1章 晶體結(jié)構(gòu)

1.1晶體學(xué)基礎(chǔ)

1.2空間點(diǎn)陣

1.3米勒指標(biāo)

1.4密堆積與配位數(shù)

1.5晶體結(jié)合鍵型

1.6元素晶體結(jié)構(gòu)

1.7幾種典型晶體結(jié)構(gòu)

1.8固溶體和中間相

第2章 晶體缺陷

2.1點(diǎn)缺陷

2.2線缺陷

2.3面缺陷

第3章 成核理論

3.1相變驅(qū)動(dòng)力

3.2彎曲界面的平衡與相變位壘

3.3均勻成核

3.4非均勻成核

3.5再結(jié)晶成核

3.6單相固溶體的凝固

第4章 界面的平衡結(jié)構(gòu)

4.1晶體的平衡形狀

4.2生長界面結(jié)構(gòu)的基本類型

4.3柯塞爾模型

4.4杰克遜模型

4.5特姆金模型

第5章 晶體生長動(dòng)力學(xué)

5.1鄰位面的生長——臺(tái)階動(dòng)力學(xué)與運(yùn)動(dòng)學(xué)

5.2光滑界面的生長

5.3粗糙界面的生長

5.4晶體生長動(dòng)力學(xué)統(tǒng)一理論

5.5晶體生長形態(tài)學(xué)

第6章 相平衡狀態(tài)圖

6.1相平衡與相圖

6.2二元系統(tǒng)相圖

6.3三元系統(tǒng)相圖

6.4三元共晶相圖

6.5三元合金相圖的四相平衡轉(zhuǎn)變

6.6相圖與晶體生長

第7章 單晶材料的制備

7.1氣相生長法

7.2水溶液生長法

7.3水熱生長法

7.4熔鹽生長法

7.5熔體生長法

第8章 薄膜材料的制備

8.1薄膜的形成機(jī)理

8.2物理氣相沉積

8.3化學(xué)氣相沉積

8.4化學(xué)溶液鍍膜法

8.5液相外延制膜法

8.6膜厚的測(cè)量與監(jiān)控

第9章 陶瓷材料的制備

9.1陶瓷的組成相及其結(jié)構(gòu)

9.2陶瓷的制備工藝

9.3裝置瓷

9.4電容器陶瓷

9.5壓電陶瓷

9.6鐵氧體

9.7高溫陶瓷

第10章 復(fù)合材料的制備

10.1復(fù)合材料的一般概念

10.2顆粒增強(qiáng)復(fù)合材料

10.3夾層增強(qiáng)復(fù)合材料

10.4纖維增強(qiáng)復(fù)合材料

10.5樹脂基復(fù)合材料

10.6金屬基復(fù)合材料

10.7陶瓷基復(fù)合材料

第11章 材料工程新技術(shù)

11.1低維材料

11.2納米材料與制備技術(shù)

11.3金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積

11.4化學(xué)束外延和原子層外延

11.5激光沉積與激光釉化

11.6梯度功能材料

11.7智能材料與結(jié)構(gòu)

參考書

朱世富 趙北君，材料制備科學(xué)與技術(shù)，高等教育出版社，ISBN 978-7-04-018257-6