一、 考試目的

本課程考試的目的是考察考生對半導(dǎo)體物理的基本概念、基本理論和基本分析方法的理解和掌握程度以及利用其解決半導(dǎo)體物理領(lǐng)域相關(guān)問題的能力。

二、考試的性質(zhì)與范圍

該入學(xué)考試是為信息與通信工程一級學(xué)科微納信息系統(tǒng)專業(yè)招收博士研究生而設(shè)置的。它的評價標(biāo)準(zhǔn)是高等學(xué)校相關(guān)專業(yè)碩士畢業(yè)生能達(dá)到的及格或及格以上水平，以保證被錄取者具有較好的半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)理論知識，考試范圍詳見考試內(nèi)容。

三、考試基本要求

要求考生系統(tǒng)掌握半導(dǎo)體物理學(xué)的基礎(chǔ)理論，對基本概念有深刻的理解，并且能靈活應(yīng)用，具有較強(qiáng)的分析問題和解決問題的能力。

四、考試形式

筆試、閉卷，考試時間為180分鐘，試卷滿分為100分。

五、考試內(nèi)容

1、半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)和半導(dǎo)體的結(jié)合性質(zhì);

2、半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)：半導(dǎo)體能帶的形成，Ge、Si、GaAs能帶結(jié)構(gòu)，有效質(zhì)量、空穴、雜質(zhì)和缺陷能級;

3、熱平衡下半導(dǎo)體載流子的統(tǒng)計分布：狀態(tài)密度、費(fèi)米能級、本征半導(dǎo)體和雜質(zhì)半導(dǎo)體的載流子濃度，簡并半導(dǎo)體和重?fù)诫s效應(yīng);

4、半導(dǎo)體的導(dǎo)電性：半導(dǎo)體導(dǎo)電原理，載流子的漂移運(yùn)動、遷移率、散射機(jī)構(gòu)，半導(dǎo)體電阻率(電導(dǎo)率)隨溫度和雜質(zhì)濃度的變化規(guī)律，強(qiáng)電場效應(yīng)、熱載流子，負(fù)阻效應(yīng);

5、pn結(jié)：平衡pn結(jié)特點(diǎn)及其能帶圖，pn結(jié)的I-V特性、電容特性、開關(guān)特性、擊穿特性;

6、金屬和半導(dǎo)體接觸：半導(dǎo)體表面態(tài)，表面電場效應(yīng)，金屬與半導(dǎo)體接觸特性、MIS結(jié)構(gòu)電容-電壓特性，

7、半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)：異質(zhì)結(jié)的形成機(jī)理、能帶圖;

8、半導(dǎo)體熱電、磁電及壓阻效應(yīng)：半導(dǎo)體熱傳導(dǎo)及熱電效應(yīng)，半導(dǎo)體的霍耳效應(yīng)，半導(dǎo)體的壓阻效應(yīng)。

六、考試題型

概念題、分析論述題、簡算題、推導(dǎo)題、作圖題