《半導體器件》博士入學考試大綱
1半導體器件物理基礎
半導體物理基礎，半導體工藝技術(shù)。
2P-N結(jié)
工藝步驟，熱平衡，勢壘電容，電流-電壓特性，電荷儲存與暫態(tài)響應，擊穿，異質(zhì)結(jié)。
3雙極型晶體管及相關(guān)器件
雙極型晶體管工作原理，靜態(tài)特性，頻率響應與開關(guān)特性，異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管，可控硅器件及相關(guān)功率器件。
4MOSFET及相關(guān)器件
基本原理，按比例縮小，CMOS與雙極型CMOS（BICMOS，絕緣層上MOSFET（SOI），功率MOSFET。
5MESFET及相關(guān)器件
金屬-半導體接觸，金屬場效應晶體管（MESFET），調(diào)制摻雜場效應晶體管。
6微波二極管、量子效應和熱電子器件光電器件
微波技術(shù)，隧道二極管，碰撞電離雪崩渡越時間二極管，轉(zhuǎn)移電子器件，量子效應器件，熱電子器件。
7光電器件
輻射躍遷與光的吸收，發(fā)光二極管，半導體激光器，光探測器，太陽能電池。
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